当Mn掺杂为4 at%时，CuO薄膜从p型转变为n型。载流子浓度和迁移率分别为1017cm-3和10–1cm2/(V·s)数量级。霍尔系数介于9.9-29.8cm3/C之间。上述结果表明Mn:CuO薄膜适合应用于光电领测试半导体材料的霍尔效应是表征和分析半导体材料的重要手段。我们可以根据霍尔系数的符号来判断半导体材料的导电类型，是N型还是P型；霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中
如果在P型材料里用电子运动来计入霍尔效应，就需要用电子的价带有效质量，该质量在硅内为负。至于§4-5半导体的霍尔效应一、P型半导体霍尔效应1.P型半导体霍耳效应的形成过程zy x Bz I+ Bd εy _○ fεx fL f bVH Al 电场力：fε=qεx磁场力：fL=qVxBz qεy fεxfL y方向的电场强度为：εy
简单来讲，P型半导体电子运动发生在价带，而价带中电子的有效质量是负的。有效质量是为了简化计算外力对《p型半导体如何形成的，弘芯半导体的走向》图来源：参考消息网前文曾提及为收购星科金朋，收购主体JCET-SC在获得6.6亿美元股东资金支持外，还获得了2亿美元银行**支持。其实这笔2亿美
＞０＜ 首先要学会根据电流和磁场判断电场力的方向，电场力的方向即半导体中载流子的受力方向(即判断出n型半导体的电子聚集到哪里，或p型半导体的空穴聚集到哪里).对这两种半导体来说，摘要：在普通物理学中讲到带电粒子在磁场中的运动，大都会提到霍耳效应，并指出正的载流子霍耳系数为正，负的载流子霍耳系数为负.霍耳效应可应用于测定半导体的导电类型. 关键词
将在+y或–y方向上产生横向电场Ey，Ey=Rh·J·B，比例系数Rh即为霍尔系数。对于p型半导体，空穴受洛伦兹力qvB，沿–y方向，空穴向–y方向偏转，在+y方向产生横向电最近这不要物理实验期末考试了嘛，我火速抄起实验书准备复习。复习到霍尔效应判断P/N型半导体这一部分时很惊奇地发现网上一会儿还搜不出个明了的总结，也有很多
