通过本次实验测得的电导率为0.091(1/Ω·m),霍尔系数为6610(m3/C),霍尔元件的载流子类型为N,载流子浓度为0.968(×1021/m3),霍尔元件的迁移率为601.51(m2/V·s). 实验误差和注意事实验三霍尔效应法测量半导体的载流子浓度实验目的1.了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔元件对材料要求的知识2.学习用”对称测量法”消除副效应的影响测量并绘制
摘要：利用霍尔元件测磁场装置的基本原理进行反向推导得到测定杂质半导体载流子浓度的理论方法，可对霍尔效应实验仪进行简单改造即可判断出杂质半导体导电类型霍尔效应载流子浓度为0.968(×1021/m3)。实验测得的电导率为0.091(1/Ω·m)，霍尔系数为6610(m3/C)，霍尔元件的载流子类型为N，载流子浓度为0.968(×1021/m3)，霍
ˋ▽ˊ ; 霍尔系数的单位是：米3 / 库仑对于单一载流子导电的情况：载流子浓度为：n R H =-101619 3.() 米(3) 2.电阻率：标准样品的电阻率：ρσ = twV IL ()欧姆米. (4) 其中：V σ霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。流体中的霍尔
设试样的宽度为b,厚度为d,载流子浓度为n,则电流强度IS 与v 的关系为(2.3) I S nev bd (2.4) 由式(2.3)、2.4)可得VH E H b I B 1 IS B RH S ne d d （2）其中σ表示电导率，τ为平均自由时间，ν为载流子速度，表示统计平均值，mp*表示空穴有效质量。
的测量崔立宣1唐永光2 (1.河北省抚宁县第三中学，河北抚宁066303;2.廊坊师范学院，河北廊坊065000) 【摘要】利用简单的加热装置改装HL_一Iv型霍尔效应实验仪，利KH与载流子浓度n成反比半导体的载流子浓度远比金属的载流子浓度小因此用半导体材料制成的霍尔元件霍尔效应明显灵敏度较高这也是一般霍尔元件不用金属导体而用
