计算公式：晶振的负载电容=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C;式中Cd、Cg为分别接在晶振的两个脚上和对地的电容；Cic(集成电路内部电容);△C(PCB上电容)一般为3至5pf。计算公式：晶振的负载电容Cf=[Cd*Cg/(Cd+Cg)]+Cic+△C,式中Cd,Cg为分别接在晶振的两个脚上和对地的电容，Cic(集成电路内部电容)+△C(PCB上电容)经验值为3至5pf。
↓。υ。↓ 计算公式：晶振的负载电容Cf=[Cd*Cg/(Cd+Cg)]+Cic+△C,式中Cd,Cg为分别接在晶振的两个脚上和对地的电容，Cic(集成电路内部电容)+△C(PCB上电容)经验值为3至5pf。不同的IC,Cic(晶振频率计算公式的基本形式为：f = 1 / (2 * π * C * √(L * C)) 其中，f表示晶振器的输出频率，C表示晶振器的电容，L表示晶振器的电感。晶振器的电容和电感是由晶振器的结构
晶振频率计算时间公式晶振频率计算时间公式晶振频率计算时间公式为：时间(秒)=周期(秒)×晶振周期数晶振周期数=晶振频率×时间(秒) 周期(秒)= 1÷晶振频率因此，时间(秒)= 因此单片机的机器周期=12秒/晶振频率。3 晶振频率单片机开发板、学习板成型之时相应的晶振频率也已经被确定了。51单片机常用的晶振频率有11.059 2MHz、12MHz或其它值，-^。4 定时
01. 串联谐振频率公式串联谐振频率是指晶振在无外部负载电容时的自然谐振频率，它由晶振内部的等效电感L1和等效电容C1决定，其公式为：Fr = 1 / (2π√(L1C1))例如，如果一个晶振(1)晶振晶体的厚度和振荡频率之间的关系f:水晶片的直列谐振频率计算AT切割16MHz的厚度的情况t = 1.67 / 16 = 0.104(mm) (2)频率温度特性标准例AT切割的振
晶振频率计算公式49t晶振频率计算公式：频率=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C式中，Cd,Cg为分别接在晶振的两个脚上和对地的电容；Cic为集成电路内部电容；△C为PCB上电49t晶振频率计算公式：频率=[(Cd*Cg)/(Cd+Cg)]+Cic+△C 式中，Cd,Cg为分别接在晶振的两个脚上和对地的电容；Cic为集成电路内部电容；△C为PCB上电容。知识点延伸：
