由公式(1)(2)(3)町得霍尔电势差U的表达式为：u=bvB(4) 结合电流的微观表达式(5)推导u其中n为单位体积内自由移动的电子数。得到公式(6)。记RH为霍尔系数，其表达式为(7),kH为推导过程：方便起见，假设导体为一个长方体，长度分别为a、b、d，磁场垂直ab平面。电流经过ad，电流I = nqv(ad)，n
?﹏? 设载流子的电荷量为q,沿电流方向定向运动的平均速率为v,单位体积内自由移动的载流子数为n,垂直电流方向导体板的横向宽度为a,则电流的微观表达式为I=nqadv ① 其中K=1/(n*q)称为霍尔系数U为霍尔电压解释：在半导体上外加与电流方向垂直的磁场，会使得半导体中的电子与空穴受
霍尔电压的公式怎么推导？E:电场强度；e:单个粒子的电荷量；n:单位体积的带电粒子数量；B:磁通密度；v:带电粒子移动速度。简易物理回复于：2022-01-26 14:12:40 I=nebdvI=nebdv v=霍尔电压公式推导是设载流子的电荷量为q,沿电流方向定向运动的平均速率为v,单位体积内自由移动的载流子数为n,垂直电流方向导体板的横向宽度为a,则电流的微观表达式为I=nqadv。霍尔
˙＾˙ 霍尔效应公式是F=qE+qvB/c(Gauss 单位制),霍尔效应是电磁效应的一种，这一现象是美国物理学家霍尔(E.H.Hall,1855—1938)于1879年在研究金属的导电机制时发现的。霍尔电压可以通过对一个磁动电动势的推导得到。霍尔电压的公式为：Vh=n*dΦ/dt 其中，Vh是霍尔电压，n是线圈的匝数，Φ是线圈内磁通，dt是磁通变化的时间差。可以通过对磁通变
