肖特基势垒整流二极管SBD。0.4V,适合5V等低压电源。缺点是其电阻和耐压的平方成正比，所以耐压低(200V以下),反向漏电流较大，易热击穿。但速度比较快，通态压降低器件型号：TL431AMSDT 器件类别：半导体模拟混合信号IC 文件大小：212KB,共27页厂商名称：Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) 厂商官网：https://nxp/ 器
对于主板中使用贴片场效应管来说，从左到右其引脚排列基本为G、D、S(散热片接D极),主板中使用的场效应管，其中D-S极间都增加了保护二极管，以保护管子不到于被静MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或静电的感应而带电，又因在静电较强的场合难于泄放电荷，容易引起静电击穿。静电击穿一般分为两种类型：
diangon版权所有！但也要注意它的使用极限，对于阳极阴极反向电压Vka不能超过37V,否则将会击穿431;另外流过TL431的电流不能超过100mA,否则同样烧坏431。我场效应管栅极与源极间的电阻起到保护场效应管不被静电击穿的作用，取值10K。栅极串联电阻决定场效应管的开通速度，取10~4 IGBT驱动电路中GE间经常接个十几K的电阻
TL431过欠压保护电路原理图资料下载fs45232022-02-09 15:54:38 CMOS器件抗静电措施的研究由于CMOS器件静电损伤90%是延迟失效，对整机应用的可靠性影响太大，因由于TL431是有较高的开环增益且响应速度快，当取样点(R1、R2的连接点)离两极较远时，电路容易产生超调自激，所以在使用时要引起注意。5.最小维持电流与最小阴极电压由于TL431的内部
TL431具有体积小、基准电压精密可调，输出电流大等优点，所以用TL431可以制作多种稳压器。其性能是输出电压连续可调达36V,工作电流范围宽达0.1～100mA,动态电阻如果两个管子参数一样。并联时，各点的电压对应相等，两管子电流相等，由电流的表达式知道总的电流等于同样的电压下2W/L的管子的电流。串联时，下面的管子工作在
